डिटेक्शन मोड | पावर-ऑन के दौरान प्रकाश, पता लगाने के दौरान प्रकाश बंद |
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प्रकाश स्रोत | Gaas ir ने (940nm) का नेतृत्व किया |
प्रतिक्रिया आवृत्ति | 5 किलोहर्ट्ज |
repeatability | नीचे < 0.03 मिमी |
अवशिष्ट वोल्टेज | नीचे 3V (लोड वर्तमान 100ma पर, 2 मीटर तार की लंबाई के साथ) |
उत्पाद का नाम | TOF सेंसर |
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पता लगाने की विधि | परावर्तक प्रकार |
पता लगाने की दूरी | 50~1500 मिमी |
आउटपुट | पीएनपी |
प्रकाश स्रोत | लाल एलईडी (940nm) IEC CLASS1 |
घर निर्माण की सामग्री | आवास: पीबीटी, लेंस: पीएमएमए |
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नमूना अवधि | 500/1000/1500/ 2000μs |
भंडारण आर्द्रता | 35 ~ 95%आरएच (कोई संक्षेपण या टुकड़े नहीं) |
भंडारण तापमान | -20 ~ 60 डिग्री सेल्सियस |
परिवेश प्रकाश | धूप: ≤10000lux, दीपक: 0003000lux |
सेंसिंग रेंज | 30-300 मिमी |
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आईपी रेटिंग | IP64 |
प्रतिक्रिया समय | <0.5ms |
दूरी विचलन | <3% |
विद्युत आपूर्ति | डीसी 12 ~ 24v; रिपल: ± 10% |
वजन | केबल प्रकार: 65 ग्राम |
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भंडारण तापमान | -20 ~ 60 डिग्री सेल्सियस |
भंडारण आर्द्रता | 35 ~ 95%आरएच (कोई संक्षेपण या टुकड़े नहीं) |
हाजिर आकार (अधिकतम) रेंज के पास | 0.15x0.15 मिमी |
स्पॉट आकार (अधिकतम) सुदूर सीमा | 0.15x0.15 मिमी |
उत्पाद का नाम | TOF सेंसर |
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पता लगाने की विधि | परावर्तक प्रकार |
पता लगाने की दूरी | 50~1500 मिमी |
आउटपुट | पीएनपी |
प्रकाश स्रोत | लाल एलईडी (940nm) IEC CLASS1 |
माउंटिंग प्रकार | नट फिक्सिंग |
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विवरण | फोटोइलेक्ट्रिक सेंसर, फोटोइलेक्ट्रिक सेंसर |
लिखित | लाल एलईडी |
आउटपुट | 12-24 वी डीसी |
रेंज निर्धारण | 40-200 मिमी |
संवेदन दूरी | 30-300 मिमी |
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आवेदन | औद्योगिक स्वचालन |
आउटपुट | एनपीएन |
Rsidual वोल्टेज | < 2V (ऑपरेटिंग करंट: ~ 10 ~ 100mA) |
संचालन विनम्रता | 35%~ 85%आरएच |
आउटपुट सिग्नल | स्विचिंग आउटपुट पीएनपी/एनपीएन |
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कनेक्शन प्रकार | केबल |
अनुसंधान का विस्तार | 30 ± 4 मिमी |
पूर्ण पैमाना | 8 मिमी |
परिचालन तापमान | -10 ° C - 45 ° C |
सूचक | हाँ |
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घर निर्माण की सामग्री | आवास: पीबीटी, लेंस: पीएमएमए |
वर्तमान आर्द्रता | 35 ~ 85%आरएच (कोई संक्षेपण या टुकड़े नहीं) |
प्रकाश स्रोत | लाल लेजर डायोड |
तरंगदैर्ध्य | 655 एनएम |