| 属性 | 値 |
|---|---|
| インジケーター | はい |
| ハウジング材質 | ハウジング：PBT、レンズ：PMMA |
| 動作湿度 | 35～85%RH（結露または氷結なし） |
| 赤色レーザーダイオード（波長655nm） | 赤色レーザーダイオード |
| 波長 | 655nm |
| 周囲照度 | 日光：≤10000lux、ランプ：≤3000lux |
| 接続タイプ | ケーブル |
| 重量 | ケーブルタイプ：65g |
フォトエレクトリックセンサは、さまざまな産業用途に不可欠なコンポーネントであり、機械保護センサ、物体計数センサ、アナログ出力センサとして機能します。この多用途センサは、物体を正確に監視および検出するための信頼性の高い性能を確保するために、高度な機能を備えています。
CMOSレーザー変位型フォトエレクトリックセンサは、レーザートライアングレーション法とCMOSイメージセンサを使用して距離、厚さ、または表面プロファイルを検出する高精度な非接触測定デバイスです。これは、ミクロンレベルの精度、高速応答、および信頼性の高い性能を、金属、暗い材料、テクスチャのある表面などの困難な表面でも実現するように設計されています。ケーブルタイプ
| 2CH | KD50-85N | 出力信号 |
|---|---|---|
| スイッチング出力：NPN（-N） | 検出範囲 | |
| 85±20mm | フルスケール（F.S.） | |
| 40mm | 光源 | |
| 赤色レーザーダイオード（波長655nm） | IEC/JIS定格（FDA定格） | |
| クラス2（クラスⅡ） | 工場設定 | |
| 500μs（250mm：750μs） | スポットサイズ（最大） | |
| 中心範囲 | 0.75x1.25mm | 応答時間 |
| 高速モード | 最大5ms：サンプリング平均x 1（1ms）+ 感度切り替え時間（最大4ms） | 標準モード |
| 最大12.5ms：サンプル平均x 16（8.5ms）+ 感度切り替え時間（最大4ms） | 温度ドリフト | |
| ±0.08%F.S./℃ | 動作温度/湿度 | |
| -10～45℃/35～85%RH（結露または氷結なし） | 耐衝撃性 | |
| 50G（500m/s²） | アプリケーション | |
業界別のCMOSレーザー配置フォトエレクトリックセンサの用途：
