Главная страница /Продукция/Светоэлектрические датчики/Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения

Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения

1
MOQ
Подлежит обсуждению
цена
Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения
Характеристики Галерея Характер продукции Спросите цитату
Характеристики
Характеристики
Режим обнаружения: Свет включен при включении, свет выключен при обнаружении
Источник света: GaAs IR LED ((940 нм)
Частота ответа: 5 кГц
repeatablity: < 0,03 мм ниже
Остаточное напряжение: Ниже 3 В (при токе нагрузки 100 мА, с длиной провода 2 м)
Способ подключения: Тип разъема, настраиваемые специальные кабели для кабельных цепей
Цепь защиты: Защита от обратной полярности
mbient температура: Работа: -25~70°C ((неконденсирующийся, морозоустойчивый)
Окружающая влажность: Рабочая/хранилищная влажность: 35~95% RH (неконденсирующая)
Вибрационное сопротивление: 10-55 Гц с амплитудой 1,5 мм, по 2 часа в направлении X, Y и Z
Шоковое сопротивление: 500 м/с2 удар применяется по 10 раз в направлении X, Y и Z
Выделить:

Фотоэлектрический датчик типа слота NPN IP65

,

Фотоэлектрический датчик обнаружения непрозрачных объектов

,

Датчик BSM-200N 1
Основная информация
Место происхождения: Гуандун ， Китай
Фирменное наименование: KRONZ
Сертификация: CE
Номер модели: BSM-200N
Документ: Брошюра продукта PDF
Оплата и доставка Условия
Упаковывая детали: Упаковка полиэгена
Время доставки: 5-8 рабочих дней
Условия оплаты: T/T, Western Union, Moneygram
Поставка способности: 10000 штук в месяц
Характер продукции
Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения
Атрибуты продукта
Атрибут Значение
Режим обнаружения Свет включен при включении питания, свет выключен при обнаружении
Источник света ИК-светодиод GaAs (940 нм)
Частота отклика 5 кГц
Повторяемость менее 0,03 мм
Остаточное напряжение Ниже 3 В (при токе нагрузки 100 мА, с длиной провода 2 м)
Способ подключения Тип разъема, настраиваемые специальные кабели для буксировочной цепи
Схема защиты Защита от обратной полярности, защита от перегрузки по току, защита от короткого замыкания
Температура окружающей среды Рабочая: -25~70°C (без конденсации, морозостойкий)
Влажность окружающей среды Рабочая/хранения: 35~95% относительной влажности (без конденсации)
Вибростойкость 10-55 Гц с амплитудой 1,5 мм, по 2 часа в каждом направлении X, Y и Z
Ударопрочность Удар 500 м/с² приложен 10 раз в каждом направлении X, Y и Z
Описание продукта
BSM-200N - это щелевой фотоэлектрический датчик с выходом NPN и степенью защиты IP65, предназначенный для прецизионного обнаружения в приложениях промышленной автоматизации. Его U-образная конфигурация щели обеспечивает надежное обнаружение наличия, положения и подсчета объектов, удовлетворяя требованиям различных сложных промышленных условий.
Особенности:
  • Щелевой (U-образный) дизайн для точного обнаружения объектов в зазоре.
  • Выход NPN (открытый коллектор) с настраиваемыми режимами NO/NC (Нормально открытый/Нормально закрытый).
  • Ширина щели: Вероятно, 5-30 мм (точная спецификация для подтверждения; сопоставима с 5 мм SL-305N или 30 мм SLO30VB6YQ).
  • Размер цели: Обнаруживает объекты размером всего 1,2 × 0,8 мм.
  • Время отклика: ≤0,3 мс (промышленный стандарт для высокоскоростных приложений).
  • Рабочее напряжение: 12-24 В постоянного тока.
  • Выходной ток: ~100 мА (типично для датчиков NPN).
  • Защита: Защита от обратной полярности.
Технические параметры
Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения 0
Изображения продукта
Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения 1 Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения 2 Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения 3
Чертеж размеров продукта
Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения 4
Профиль компании
Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения 5 Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения 6 Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения 7 Щелевой фотоэлектрический датчик NPN BSM-200N IP65 Обнаруженный объект 1,2 x 0,8 мм Непрозрачный объект обнаружения 8
тег:

IP67 фотоэлектрические датчики

Фотоэлектрические датчики 24В постоянного тока

промышленный фотоэлектрический датчик

Порекомендованные продукты
Свяжись с нами
Контактное лицо : Miss. Doris
Телефон : +8618924160375
Осталось символов(20/3000)
Связаться
Шестой этаж, здание Б602, No.10, Rong Jing 2nd Road, Yu Shan Guo Ji, улица Йонг Нин, район Чэнь Чжэнь, Гуанчжоу, Китайская Народная Республика
sales02@kronz.cn
+8618924160375
около
Компании Наша фабрика контроль качества контактные данные
Продукция
Соединители M8Коннекторы M12Соединители RJ45 Все категории
Написать нам
Сообщите нам свое требование. Мы свяжем с вами лучшие товары.
Карта сайта │ │ политика конфиденциальности
Китай Фотоэлектрические датчики 24В постоянного тока Поставщик. Copyright © 2024 - 2025 Kronz (guangzhou) Electronics Co., Ltd.. All Rights Reserved. Developed by ECER